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参数资料
| 型号： | IDT70V09L20PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V09L20PF |
IDT70V09L
High-Speed 128K x 8 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
GND to 3.0V
3.3V
3.3V
Input Rise/Fall Times
3ns Max.
590 ?
590 ?
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
DATA OUT
BUSY
INT
435 ?
30pF
DATA OUT
435 ?
5pF*
4852 tbl 11
4852 drw 03
Figure 1. AC Output Load
4852 drw 04
Figure 2. Output Test Load
(for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
* Including scope and jig.
Waveform of Read Cycles (5)
t RC
ADDR
t ACE
CE (6)
t AA
(4)
(4)
t AOE
(4)
OE
R/ W
VALID DATA
DATA OUT
BUSY OUT
t LZ
(1)
(3,4)
t BDD
(4)
t OH
(2)
t HZ
4852 drw 05
Timing of Power-Up Power-Down
CE (6)
I CC
t PU
t PD
I SB
50%
50%
4852 drw 06
.
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE or CE .
2. Timing depends on which signal is de-asserted first CE or OE .
3. t BDD delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations BUSY has no
relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t AOE , t ACE , t AA or t BDD .
5. SEM = V IH .
6. Refer to Truth Table I - Chip Enable.
6
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70V09L20PFI8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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