参数资料
型号: IDT70V09L20PF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 4/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 1M (128K x 8)
速度: 20ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 70V09L20PF
IDT70V09L
High-Speed 128K x 8 Dual-Port Static RAM
Truth Table I – Chip Enable (1,2)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
X
NOTES:
CE
L
H
CE 0
V IL
< 0.2V
V IH
X
>V CC -0.2V
(3)
CE 1
V IH
>V CC -0.2V
X
V IL
X (3)
<0.2V
Port Selected (TTL Active)
Port Selected (CMOS Active)
Port Deselected (TTL Inactive)
Port Deselected (TTL Inactive)
Port Deselected (CMOS Inactive)
Port Deselected (CMOS Inactive)
Mode
4852 tbl 06
1. Chip Enable references are shown above with the actual CE 0 and CE 1 levels; CE is a reference only.
2. 'H' = V IH and 'L' = V IL .
3. CMOS standby requires 'X' to be either < 0.2V or >V CC -0.2V.
Truth Table II – Non-Contention Read/Write Control
Inputs (1)
Outputs
CE
(2)
H
L
L
X
R/ W
X
L
H
X
OE
X
X
L
H
SEM
H
H
H
X
I/O 0-7
High-Z
DATA IN
DATA OUT
High-Z
Deselected: Power-Down
Write to Memory
Read Memory
Outputs Disabled
Mode
NOTES:
1. A 0L — A 16L ≠ A 0R — A 16R
2. Refer to Truth Table I - Chip Enable.
Truth Table III – Semaphore Read/Write Control (1)
4852 tbl 07
Inputs
Outputs
CE
(2)
H
H
L
R/ W
H
X
OE
L
X
X
SEM
L
L
L
I/O 0-7
DATA OUT
DATA IN
______
Read Semaphore Flag Data Out
Write I/O 0 into Semaphore Flag
Not Allowed
Mode
NOTES:
1. There are eight semaphore flags written to I/O 0 and read from all the I/Os (I/O 0 -I/O 7 ). These eight semaphore flags are addressed by A 0 -A 2 .
2. Refer toTruth Table I - Chip Enable .
4
4852 tbl 08
相关PDF资料
PDF描述
IDT7015S25G IC SRAM 72KBIT 25NS 68PGA
IDT7015S20G IC SRAM 72KBIT 20NS 68PGA
IDT7015S17G IC SRAM 72KBIT 17NS 68PGA
KMPC8560PXAQFB IC MPU POWERQUICC III 783-FCPBGA
IDT7015S15G IC SRAM 72KBIT 15NS 68PGA
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70V09L20PF8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V09L20PFGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
IDT70V09L20PFGI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
IDT70V09L20PFI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70V09L20PFI8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8