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参数资料
| 型号： | HUF75645P3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 238nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3790pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
HUF75645P3, HUF75645S3S
Typical Performance Curves
(Continued)
1.2
I D = 250 μ A
20000
10000
V GS = 0V, f = 1MHz
C ISS = C GS + C GD
1.1
1000
C OSS ? C DS + C GD
1.0
C RSS = C GD
100
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
50
0.1
1.0
10
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 11. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
10
V DD = 50V
8
6
4
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
2
I D = 75A
I D = 50A
I D = 25A
0
0
30
60
90
120
Q g , GATE CHARGE (nC)
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75645P3, HUF75645S3S Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 550-1308F | LED CBI 5MM GRN DIFF LO CURRENT |
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| 550-1212F | LED CBI 5MM YLW LO CURR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75645P3_Q | 功能描述:MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75645P3_SB82282 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF75645P3T | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
| HUF75645S3S | 功能描述:MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75645S3ST | 功能描述:MOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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