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参数资料
| 型号： | BSS138_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 27pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
10
100
8
I D = 220mA
V DS = 8V
25V
80
f = 1 MHz
V GS = 0 V
30V
6
4
2
0
60
40
20
0
C OSS
C RSS
C ISS
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
10
20
30
40
50
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
10
5
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
1
0.1
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
100ms
1s
DC
100 μ s
4
3
2
R θ JA = 350°C/W
T A = 25°C
V GS = 10V
0.01
0.001
SINGLE PULSE
R θ JA = 350 o C/W
T A = 25 o C
1
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
R θ JA = 350 C/W
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
o
0.1
0.1
0.05
P(pk)
0.01
0.001
0.02
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1a.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
BSS138 Rev C( W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FVXO-LC73BR-300 | OSC 300 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B25834J6106K9 | MKV CAPACITOR 10UF 900V |
| ABM3C-8.000MHZ-J4-T | CRYSTAL 8.000 MHZ 18PF SMD |
| ABM11-32.000MHZ-D2X-T3 | CRYSTAL 32.000 MHZ 10PF SMD |
| FVXO-LC73BR-311.04 | OSC 311.04 MHZ 3.3V LVDS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS138DW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS138DW_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS138DW_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS138DW7 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| BSS138DW-7 | 功能描述:MOSFET 50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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