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参数资料
| 型号： | BSS138_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 27pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
1
V GS = 10V
6.0V
4.5V
3.4
3.5V
3
0.8
0.6
3.0V
2.6
2.2
V GS = 2.5V
3.0V
0.4
0.2
2.5V
2.0V
1.8
1.4
1
3.5V
4.0V
4.5V
6.0V
10V
0
0.6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
2
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
4.1
1.8
I D = 220mA
V GS = 10V
3.5
I D = 110mA
1.6
2.9
1.4
1.2
2.3
T A = 125 o C
1
0.8
0.6
1.7
1.1
0.5
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
T A = -55 C
25 C
0.6
0.5
0.4
V DS = 10V
o
125 o C
o
1
0.1
V GS = 0V
T A = 125 o C
25 o C
0.3
0.01
-55 o C
0.2
0.001
0.1
0
0.0001
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
BSS138 Rev C (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FVXO-LC73BR-300 | OSC 300 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B25834J6106K9 | MKV CAPACITOR 10UF 900V |
| ABM3C-8.000MHZ-J4-T | CRYSTAL 8.000 MHZ 18PF SMD |
| ABM11-32.000MHZ-D2X-T3 | CRYSTAL 32.000 MHZ 10PF SMD |
| FVXO-LC73BR-311.04 | OSC 311.04 MHZ 3.3V LVDS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS138DW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS138DW_09 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS138DW_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS138DW7 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| BSS138DW-7 | 功能描述:MOSFET 50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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