参数资料
型号: 70P249L65BYGI
厂商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分类: SRAM
英文描述: 4K X 16 DUAL-PORT SRAM, 40 ns, PBGA100
封装: 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100
文件页数: 2/22页
文件大小: 146K
代理商: 70P249L65BYGI
6.42
IDT70P269/259/249L
Low Power 16K/8K/4K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial Temperature Range
10
OCTOBER 16, 2008
tAVD
tACC1
tACC2
tAVDH
tAVDS
tAVDA
Valid Data
Valid Address
tHZCS
tCSS
tACC3
tHZOE
tOE
tAVOE
tLZBE
tDBE
tHZBE
I/O [15:0]
ADV
CS
OE
WE
UB, LB
7146 drw 05
ADM Port Read Cycle (Either Port Access, WE High)
tLZCS
tAA
Valid Address
tLZOE
Address
CS
OE
WE
UB, LB
tDOE
tRC
tACS
tLZBE
tABE
tOHA
tHZBE
tHZOE
tHZCS
Valid Data
Data Out
7146 drw 06
Standard Port Read Cycle (Right Port Access, WE High)
相关PDF资料
PDF描述
70R89-P 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK
70R89-59 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK
70R89-58 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK
70R89-50 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK
70R89-49 20 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK
相关代理商/技术参数
参数描述
70P249L65BYGI8 功能描述:静态随机存取存储器 Low Power Dual-Port RAM IC RoHS:否 制造商:IDT 存储容量: 组织: 访问时间: 电源电压-最大: 电源电压-最小: 最大工作电流: 最大工作温度: 最小工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:
70P249L90BYGI 功能描述:IC SRAM 64KBIT 90NS 100FBGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:64K(4K x 16) 速度:90ns 接口:并联 电压 - 电源:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:100-TFBGA 供应商器件封装:100-CABGA(6x6) 标准包装:90
70P249L90BYGI8 功能描述:静态随机存取存储器 Low Power Dual-Port RAM IC RoHS:否 制造商:IDT 存储容量: 组织: 访问时间: 电源电压-最大: 电源电压-最小: 最大工作电流: 最大工作温度: 最小工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:
70P24L20BF 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 1.8V 64KBIT 4K X 16 20NS 100BGA - Bulk
70P24L20BF8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 1.8V 64KBIT 4K X 16 20NS 100BGA - Tape and Reel