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参数资料
| 型号： | 4N35DCJ |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | COMPATIBLE WITH STANDARD TTL INTEGRATED CIRCUITS |
| 中文描述： | 兼容标准的TTL集成电路 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | 4N35DCJ |
4N35, 4N36, 4N37
OPTOCOUPLERS
SOES021C – NOVEMBER 1981 – REVISED APRIL 1998
6
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
APPLICATION INFORMATION
The devices consist of a gallium-arsenide infrared-emitting diode and an npn silicon phototransistor. Each
device is available in a 6-terminal plastic dual-in-line package, shown in Figure 9, or in a DCJ plastic dual
surface-mount optocoupler package (see Mechanical Data).
C
L
C
0.021 (0,534)
0.015 (0,381)
6 Places
Seating Plane
L
0.300 (7,62) T.P.
(see Note A)
0.260 (6,61)
0.240 (6,09)
0.012 (0,305)
0.008 (0,203)
0.215 (5,46)
0.115 (2,92)
0.070 (1,78)
0.020 (0,51)
0.090 (2,29)
0.050 (1,27)
4 Places
0.040 (1,01) MIN
0.070 (1,78) MAX
6 Places
0.370 (9,40)
0.330 (8,38)
Index Dot
(see Note B)
105
°
90
°
1
2
3
6
5
4
(see Note C)
0.150 (3,81)
0.125 (3,17)
0.100 (2,54) T.P.
(see Note A)
NOTES: A. Terminals are within 0.005 (0,13) radius of true position (T.P.) with maximum material condition and unit installed.
B. Terminal 1 identified by index dot.
C. The dimensions given fall within JEDEC MO-001 AM dimensions.
D. All linear dimensions are in inches (millimeters).
Figure 9. Plastic Dual-in-Line Package
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N35GV | Optocoupler with Phototransistor Output |
| 4N35GVSERIES | Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits |
| 4N35MTA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N35MTB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N35S1TA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N35FM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35F-M | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOCOUPLER TRANSISTOR O/P |
| 4N35F-M | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOCOUPLER TRANSISTOR O/P |
| 4N35FR2M | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35FR2VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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