| 型号: | 4N35DCJ |
| 厂商: | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述: | COMPATIBLE WITH STANDARD TTL INTEGRATED CIRCUITS |
| 中文描述: | 兼容标准的TTL集成电路 |
| 文件页数: | 3/9页 |
| 文件大小: | 135K |
| 代理商: | 4N35DCJ |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N35GV | Optocoupler with Phototransistor Output |
| 4N35GVSERIES | Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits |
| 4N35MTA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N35MTB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N35S1TA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N35FM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35F-M | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOCOUPLER TRANSISTOR O/P |
| 4N35F-M | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOCOUPLER TRANSISTOR O/P |
| 4N35FR2M | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35FR2VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |