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参数资料
| 型号： | 4N35DCJ |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | COMPATIBLE WITH STANDARD TTL INTEGRATED CIRCUITS |
| 中文描述： | 兼容标准的TTL集成电路 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | 4N35DCJ |
4N35, 4N36, 4N37
OPTOCOUPLERS
SOES021C – NOVEMBER 1981 – REVISED APRIL 1998
5
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.8
0.4
0.2
0
1.2
1.4
ON-STATE COLLECTOR CURRENT
(RELATIVE TO VALUE AT 25
°C)
vs
FREE-AIR TEMPERATURE
1.6
1
0.6
– 75
– 50
– 25
0
25
50
75
100
125
TA – Free-Air Temperature – °C
VCE = 10 V
IB = 0
IF = 10 mA
See Note A
NOTE A. These parameters were measured using pulse
techniques, tw = 1 ms, duty cycle ≤ 2 %.
(Relative
to
V
alue
at
On-State
Collector
Current
A
°
=
25
C)
T
Figure 8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N35GV | Optocoupler with Phototransistor Output |
| 4N35GVSERIES | Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits |
| 4N35MTA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N35MTB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N35S1TA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N35FM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35F-M | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOCOUPLER TRANSISTOR O/P |
| 4N35F-M | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOCOUPLER TRANSISTOR O/P |
| 4N35FR2M | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N35FR2VM | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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