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参数资料
| 型号： | 4N27-X009 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分类： | 电容 |
| 英文描述： | Tantalum Chip Capacitor |
| 中文描述： | 钽芯片电容器 |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | 4N27-X009 |
www.vishay.com
8
Document Number 83725
Rev. 1.4, 26-Jan-05
4N25/ 4N26/ 4N27/ 4N28
Vishay Semiconductors
min.
.315 (8.00)
.020 (.51)
.040 (1.02)
.300 (7.62)
ref.
.375 (9.53)
.395 (10.03)
.012 (.30) typ.
.0040 (.102)
.0098 (.249)
15° max.
Option 9
.014 (0.35)
.010 (0.25)
.400 (10.16)
.430 (10.92)
.307 (7.8)
.291 (7.4)
.407 (10.36)
.391 (9.96)
Option 6
.315 (8.0)
MIN.
.300 (7.62)
TYP.
.180 (4.6)
.160 (4.1)
.331 (8.4)
MIN.
.406 (10.3)
MAX.
.028 (0.7)
MIN.
Option 7
18450
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N27-X009T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N27-X017T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N27XSM | 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-SMD 制造商:isocom components 2004 ltd 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 通道数:1 电压 - 隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:10% @ 10mA 电流传输比（最大值）:- 打开 / 关闭时间（典型值）:- 上升/下降时间（典型值）:2μs，2μs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD，鸥翼型 供应商器件封装:6-SMD 标准包装:1,300 |
| 4N28 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N28 HAR91 | 制造商:HAR 功能描述:4N28 |
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