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参数资料
| 型号： | 4N27-X009 |
| 厂商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分类： | 电容 |
| 英文描述： | Tantalum Chip Capacitor |
| 中文描述： | 钽芯片电容器 |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | 4N27-X009 |
www.vishay.com
2
Document Number 83725
Rev. 1.4, 26-Jan-05
4N25/ 4N26/ 4N27/ 4N28
Vishay Semiconductors
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Stresses in excess of the absolute Maximum Ratings can cause permanent damage to the device. Functional operation of the device is
not implied at these or any other conditions in excess of those given in the operational sections of this document. Exposure to absolute
Maximum Rating for extended periods of the time can adversely affect reliability.
Input
Output
Coupler
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Reverse voltage
VR
6.0
V
Forward current
IF
60
mA
Surge current
t < 10
sIFSM
2.5
A
Power dissipation
Pdiss
100
mW
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Collector-emitter breakdown voltage
VCEO
70
V
Emitter-base breakdown voltage
VEBO
7.0
V
Collector current
IC
50
mA
Collector currrent
t < 1.0 ms
IC
100
mA
Power dissipation
Pdiss
150
mW
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Isolation test voltage
VISO
5300
VRMS
Creepage
≥ 7.0
mm
Clearance
≥ 7.0
mm
Isolation thickness between
emitter and detector
≥ 0.4
mm
Comparative tracking index
DIN IEC 112/VDE0303, part 1
175
Isolation resistance
VIO = 500 V, Tamb = 25 °C
RIO
1012
VIO = 500 V, Tamb = 100 °C
RIO
1011
Storage temperature
Tstg
- 55 to + 150
°C
Operating temperature
Tamb
- 55 to + 100
°C
Junction temperature
Tj
100
°C
Soldering temperature
max.10 s, dip soldering:
distance to seating plane
≥ 1.5 mm
Tsld
260
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N27MTA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N27MTB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N27S1TA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N27S1TB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N27STB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N27-X009T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N27-X017T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N27XSM | 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-SMD 制造商:isocom components 2004 ltd 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 通道数:1 电压 - 隔离:5300Vrms 电流传输比（最小值）:10% @ 10mA 电流传输比（最大值）:- 打开 / 关闭时间（典型值）:- 上升/下降时间（典型值）:2μs，2μs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出（最大值）:30V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 电流 - DC 正向（If）:60mA Vce 饱和值（最大值）:500mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD，鸥翼型 供应商器件封装:6-SMD 标准包装:1,300 |
| 4N28 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N28 HAR91 | 制造商:HAR 功能描述:4N28 |
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