| 型号: | 4N27-X009 |
| 厂商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分类: | 电容 |
| 英文描述: | Tantalum Chip Capacitor |
| 中文描述: | 钽芯片电容器 |
| 文件页数: | 1/9页 |
| 文件大小: | 157K |
| 代理商: | 4N27-X009 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N27MTA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N27MTB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N27S1TA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N27S1TB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N27STB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 4N27-X009T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N27-X017T | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N27XSM | 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-SMD 制造商:isocom components 2004 ltd 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 通道数:1 电压 - 隔离:5300Vrms 电流传输比(最小值):10% @ 10mA 电流传输比(最大值):- 打开 / 关闭时间(典型值):- 上升/下降时间(典型值):2μs,2μs 输入类型:DC 输出类型:有基极的晶体管 电压 - 输出(最大值):30V 电流 - 输出/通道:50mA 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 电流 - DC 正向(If):60mA Vce 饱和值(最大值):500mV 工作温度:-55°C ~ 100°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,鸥翼型 供应商器件封装:6-SMD 标准包装:1,300 |
| 4N28 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| 4N28 HAR91 | 制造商:HAR 功能描述:4N28 |