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参数资料
| 型号： | ZXM61P02FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 900mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 610mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nc @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM61P02FDKR |
ZXM61P02F
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
H
A ll 7 °
SOT23
Dim Min Max Typ
K 1
K
J
A
B
0.37 0.51 0.40
1.20 1.40 1.30
C
2.30 2.50 2.40
A
M
L
a
L 1
D
F
G
0.89 1.03 0.915
0.45 0.60 0.535
1.78 2.05 1.83
H
J
2.80 3.00 2.90
0.013 0.10 0.05
C
B
D
K
K1
L
L1
M
a ?
0.890 1.00 0.975
0.903 1.10 1.025
0.45 0.61 0.55
0.25 0.55 0.40
0.085 0.150 0.110
8°
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z
ZXM61P02F
Document Number DS33478 Rev. 3 - 2
X
E
C
6 of 7
www.diodes.com
Z
X
Y
C
E
2.9
0.8
0.9
2.0
1.35
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AD106-00 | SENSOR MAG SW 80G STANDRD 8-MSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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