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参数资料
| 型号： | ZXM61P02FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 900mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 610mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nc @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM61P02FDKR |
ZXM61P02F
Typical Characteristics - continued
Test Circuits
Q G
Current
regulator
V G
Q GS
Q GD
12V
0.2mF
50k
I G
Same as
D.U.T
V DS
D.U.T
Charge
V GS
I D
Basic gate charge waveform
V DS
Gate charge test circuit
90%
10%
R G
V GS
R D
V DS
V DD
t r
t d(of )
t r
t d(on)
V GS
Pulsewidth , 1mS
Duty factor 0.1%
t (on)
t (on)
Switching time waveforms
Switching time test circuit
ZXM61P02F
Document Number DS33478 Rev. 3 - 2
5 of 7
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ZXM61P03F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-23 |
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