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参数资料
| 型号： | ZXM61N02FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 930mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 160pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM61N02FDKR |
ZXM61N02F
TYPICAL CHARACTERISTICS
400
V GS =0V
5
I D =0.93A
300
Ciss
Coss
Crss
f=1MHz
4
V DS =16V
3
200
2
100
1
0
0.1
1
10
100
0
0
1
2
3
V DS - Drain-Source Voltage (V)
Capacitance v Drain-Source Voltage
Basic Gate Charge Waveform
Switching Time Waveforms
Q - Charge (nC)
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Gate Charge Test Circuit
Switching Time Test Circuit
ISSUE 1 - JUNE 2004
6
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参数描述 |
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