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参数资料
| 型号： | ZXM61N02FTA |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 |
| 其它图纸： | SOT-23 SOT-23 Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 930mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 160pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1472 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ZXM61N02FDKR |
ZXM61N02F
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
10
1
+25°C
VGS
6V
4V
3V
2.5V
2V
100
10
1
+150°C
VGS
6V
4V
3.5V
3V
2.5V
2V
1.5V
100m
1.5V
100m
10m
0.1
1
10
10m
0.1
1
10
V DS - Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V DS - Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
10
V DS =10V
1.6
R DS(on)
1.4
1
T=150°C
1.2
1.0
V GS =4.5V
I D =0.93A
0.1
T=25°C
0.8
V GS =V DS
I D =250μA
0.6
V GS(th)
0.01
1.5
2.5
3.5
4.5
0.4
-100
0
100
200
10
V GS - Gate-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
100
10
1
T J - Junction Temperature (°C)
Normalised R DS(on) and V GS(th)
v Temperature
1
V GS =2.7V
100m
V GS =4.5V
10m
1m
T=150°C
T=25°C
0.1
0.1
1
10
100
100μ
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D - Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
V SD - Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
ISSUE 1 - JUNE 2004
5
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