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参数资料
| 型号： | W971GG8JB-25 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 74/87页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60WBGA |
| 标准包装： | 209 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（128M x 8） |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 60-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 60-WBGA (8x12.5) |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | Q7152144 |
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W971GG8JB
11.10 Seamless burst read operation: RL = 5 ( AL = 2, and CL = 3, BL = 4)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
CLK
CMD
Post CAS
READ A
NOP
Post CAS
READ B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQS
DQS
AL = 2
RL = 5
CL = 3
DQ's
DOUT
A0
DOUT
A1
DOUT
A2
DOUT
A3
DOUT
B0
DOUT
B1
DOUT
B2
Note:
The seamless burst read operation is supported by enabling a read command at every other clock for BL = 4 operation, and
every 4 clock for BL = 8 operation. This operation is allowed regardless of same or different banks as long as the banks are
activated.
11.11 Seamless burst write operation: RL = 5 ( WL = 4, BL = 4)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
CLK
CMD
Post CAS
Write A
NOP
Post CAS
Write B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQS
DQS
WL = RL - 1 = 4
DQ's
DIN
A0
DIN
A1
DIN
A2
DIN
A3
DIN
B0
DIN
B1
DIN
B2
DIN
B3
Note:
The seamless burst write operation is supported by enabling a write command every other clock for BL = 4 operation, every four
clocks for BL = 8 operation. This operation is allowed regardless of same or different banks as long as the banks are activated.
Publication Release Date: Jun. 15, 2012
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Revision A02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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