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参数资料
| 型号： | W971GG6JB25I |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 5/87页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR2 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 95°C |
| 封装/外壳： | 84-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 84-WBGA（8x12.5） |
| 包装： | 托盘 |
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W971GG6JB
3. ORDER INFORMATION
PART NUMBER
W971GG6JB-18
W971GG6JB-25
W971GG6JB25I
W971GG6JB25A
W971GG6JB25K
W971GG6JB25L
W971GG6JB-3
W971GG6JB-3A
4. KEY PARAMETERS
SPEED GRADE
DDR2-1066 (6-6-6)
DDR2-800 (5-5-5)
DDR2-800 (5-5-5)
DDR2-800 (5-5-5)
DDR2-800 (5-5-5)
DDR2-800 (5-5-5)
DDR2-667 (5-5-5)
DDR2-667 (5-5-5)
OPERATING TEMPERATURE
0°C ≤ T CASE ≤ 85°C
0°C ≤ T CASE ≤ 85°C
-40°C ≤ T CASE ≤ 95°C
-40°C ≤ T A, T CASE ≤ 95°C
-40°C ≤ T A, T CASE ≤ 105°C
0°C ≤ T CASE ≤ 85°C
0°C ≤ T CASE ≤ 85°C
-40°C ≤ T A, T CASE ≤ 95°C
SPEED GRADE
DDR2-1066
DDR2-800
DDR2-800 DDR2-667
SYM.
Bin(CL-tRCD-tRP)
Part Number Extension
6-6-6
-18
5-5-5
-25/25I/25A/25K
5-5-5
25L
5-5-5
-3/-3A
@CL = 7
@CL = 6
Min.
Max.
Min.
Max.
1.875 nS
7.5 nS
1.875 nS
7.5 nS
?
?
2.5 nS
8 nS
?
?
2.5 nS
8 nS
?
?
?
?
t CK(avg)
Average clock period
@CL = 5
@CL = 4
@CL = 3
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
2.5 nS
7.5 nS
3 nS
7.5 nS
?
?
2.5 nS
8 nS
3.75 nS
8 nS
5 nS
8 nS
2.5 nS
8 nS
3.75 nS
8 nS
5 nS
8 nS
3 nS
8 nS
3.75 nS
8 nS
5 nS
8 nS
t RCD
Active to Read/Write Command Delay Time
Min.
11.25 nS
12.5 nS
12.5 nS
15 nS
-40°C ≤ T CASE ≤ 85°C
? *
2
7.8 μ S*
2, 3
? *
2
7.8 μ S*
2, 3
t REFI
Average periodic
refresh Interval
0°C ≤ T CASE ≤ 85°C
85°C < T CASE ≤ 95°C
Max.
7.8 μ S*
3.9 μ S*
1
4
7.8 μ S*
3.9 μ S*
1
4
7.8 μ S*
3.9 μ S*
1
4
7.8 μ S*
3.9 μ S*
1
4
95°C < T CASE ≤ 105°C
? *
6
3.9 μ S*
5
? *
6
? *
6
t RP
t RC
t RAS
I DD0
I DD1
I DD2P
I DD4R
I DD4W
I DD5B
I DD6
I DD7
Precharge to Active Command Period
Active to Ref/Active Command Period
Active to Precharge Command Period
Operating one bank active-precharge current
Operating one bank active-read-precharge current
Precharge power-down current
Operating burst read current
Operating burst write current
Burst refresh current
Self refresh current (T CASE ≤ 85 ? C)
Operating bank interleave read current
Min.
Min.
Min.
Max.
Max.
Max.
Max.
Max.
Max.
Max.
Max.
11.25 nS
51.25 nS
40 nS
85 mA
90 mA
10 mA
155 mA
160 mA
145 mA
10 mA
285 mA
12.5 nS
52.5 nS
40 nS
80 mA
85 mA
10 mA
130 mA
135 mA
130 mA
10 mA
225 mA
12.5 nS
52.5 nS
40 nS
80 mA
85 mA
7 mA
130 mA
135 mA
130 mA
4 mA
225 mA
15 nS
55 nS
40 nS
75 mA
80 mA
10 mA
120 mA
125 mA
120 mA
10 mA
195 mA
Notes:
1. All speed grades support 0°C ≤ T CASE ≤ 85°C with full JEDEC AC and DC specifications.
2. For -18, -25, 25L and -3 speed grades, -40°C ≤ T CASE < 0°C is not available.
3. 25I, 25A, 25K and -3A speed grades support -40°C ≤ T CASE ≤ 85°C with full JEDEC AC and DC specifications.
4. For all speed grade parts, T CASE is able to extend to 95°C with doubling Auto Refresh commands in frequency to a 32 mS
period ( t REFI = 3.9 μS) and to enter to Self Refresh mode at this high temperature range via A7 "1" on EMR (2).
5. For 25K automotive speed grade, T CASE is able to extend to 105°C with doubling Auto Refresh commands in frequency to a
32 mS period ( t REFI = 3.9 μS) and to enter to Self Refresh mode at this high temperature range via A7 "1" on EMR (2).
6. For -18, -25, 25L, 25I, 25A, -3 and -3A speed grades, 95°C < T CASE ≤ 105°C is not available.
Publication Release Date: Sep. 24, 2013
-5-
Revision A09
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W971GG6JB-25I | 制造商:Winbond Electronics 功能描述:-40~85 1GB DDR2 FOR INDUSTRY |
| W971GG6JB25ITR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:1G, DDR2-800, X16, IND TEMP |
| W971GG6JB25TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:NR, DDR2-800, X16 |
| W971GG6JB-3 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:1GBIT DDRII |
| W971GG6KB-18 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:1G, DDR2-1066, X16 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
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