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参数资料
| 型号： | VSMY2850RG |
| 厂商： | Vishay Semiconductors |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IR EMITTER 850NM HIGH SPEED SMD |
| 产品培训模块： | A850 Series Infrared Surface Emitters |
| 特色产品： | High-Speed Infrared Emitting Diodes |
| 标准包装： | 1 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| 辐射强度(le)最小值@正向电流： | 50mW/sr @ 100mA |
| 波长： | 850nm |
| 正向电压： | 1.65V |
| 视角： | 20° |
| 方向： | 顶视图 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，鸥翼型 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | VSMY2850RGDKR |
VSMY2850RG, VSMY2850G
www.vishay.com
BASIC CHARACTERISTICS (T amb = 25 °C, unless otherwise specified)
Vishay Semiconductors
1000
t p = 100 μ s
1000
t p = 100 μ s
100
100
10
10
1
1
0.1
1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
1
10
100
1000
V F - Forward Voltage (V)
Fig. 3 - Forward Current vs. Forward Voltage
1.90
I F = 100 mA
I F - Forward Current (mA)
Fig. 6 - Radiant Intensity vs. Forward Current
110
I F = 100 mA
1.80
105
t p = 20 m s
100
1.70
95
1.60
90
1.50
1.40
85
80
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
100
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
100
T amb - Ambient Temperature ( ° C)
Fig. 4 - Forward Voltage vs. Ambient Temperature
115
T amb - Ambient Temperature ( ° C)
Fig. 7 - Relative Radiant Intensity vs. Ambient Temperature
100
I F = 100 mA
90
I F = 20 mA
110
105
100
95
90
t p = 20 m s
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
100
700
750
800
850
900
950
T amb - Ambient Temperature ( ° C)
Fig. 5 - Relative Forward Voltage vs. Ambient Temperature
λ - Wavelength (nm)
Fig. 8 - Relative Radiant Intensity vs. Wavelength
Rev. 1.5, 06-Sep-13
3
Document Number: 83398
For technical questions, contact: emittertechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPXV7007GPT1 | IC PRESSURE SENSOR 8-SOP |
| MPXV7007DPT1 | IC PRESSURE SENSOR 8-SOP |
| P1X8A-DX1471S20-SC | DEMUX FIBER OPTIC SC CONN 1471NM |
| P1X4A-MX1511S20-SC | MUX FIBER OPTIC SC CONN 1511NM |
| P1X4A-DX1511S20-SC | DEMUX FIBER OPTIC SC CONN 1511NM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| VSMY2850RG_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology |
| VSMY2850RG1 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
| VSMY2850RGX01 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
| VSMY2853G | 功能描述:红外发射器 - 大功率 5volt 190mW 840nM 28Deg RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 波长:940 nm 射束角:30 deg 功率额定值:180 mW 正向电流:100 mA 正向电压:1.5 V 封装: |
| VSMY2853RG | 功能描述:红外发射器 - 大功率 5volt 190mW 840nM 28Deg RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 波长:940 nm 射束角:30 deg 功率额定值:180 mW 正向电流:100 mA 正向电压:1.5 V 封装: |
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