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参数资料
| 型号： | SUD19N20-90-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 200V DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUD19N20-90-E3DKR |
SUD19N20-90
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
40
30
20
V GS = 10 V thru 7 V
6V
40
30
20
T C = 125 °C
10
5V
10
25 °C
0
4V
0
- 55 °C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
70
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.20
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
60
50
T C = - 55 °C
0.15
25 °C
40
125 °C
0.10
V GS = 6 V
30
V GS = 10 V
20
10
0
0.05
0.00
0
10
20
30
40
0
10
20
30
40
2500
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2000
1500
1000
500
0
C rss
C oss
C iss
16
12
8
4
0
V DS = 100 V
I D = 19 A
0
40
80
120
160
200
0
10
20
30
40
50
60
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 71767
S10-2245-Rev. E, 04-Oct-10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUBW30-12A6K | MODULE IGBT CBI E1 |
| MK24-E-3 | SENSOR REED SPST-NO 5MM SMD |
| L31S200S05S | SENSOR CURRENT +/-200A +5V |
| L31S100S05S | SENSOR CURRENT +/-100A +5V |
| 6576-36-0 | CORD ALLIG-ALLIG W/BOOT 36" BLK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD19N20-90-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
| SUD19N20-90T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 19A 3PIN TO-252 - Tape and Reel |
| SUD19N20-90-T4 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| SUD19N20-90-T4-E3 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 19A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD19P06-60 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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