参数资料
型号: SI4112M-EVB
厂商: Silicon Laboratories Inc
文件页数: 26/36页
文件大小: 0K
描述: BOARD EVALUATION FOR SI4112
标准包装: 1
类型: RF 合成器
适用于相关产品: SI4112
所含物品: 评估板和光盘
其它名称: 336-1098
Si4133
32
Rev. 1.61
9. Package Outline: Si4133-GT
Figure 19 illustrates the package details for the Si4133-GT. Table 16 lists the values for the dimensions shown in
the illustration.
Figure 19. 24-Pin Thin Shrink Small Outline Package (TSSOP)
Table 16. Package Diagram Dimensions
Symbol
Millimeters
Min
Nom
Max
A—
1.20
A1
0.05
0.15
b
0.19
0.30
c
0.09
0.20
D
7.70
7.80
7.90
e
0.65 BSC
E
6.40 BSC
E1
4.30
4.40
4.50
L
0.45
0.60
0.75
10°
bbb
0.10
ddd
0.20
L
1
c
D
A1
A
b
E1 E
e
See Detail G
Detail G
12
3
ddd CB A
A
C
24
bbb
CB A
M
B
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SI4113-BM 功能描述:射频无线杂项 USE 634-SI4113-D-GM FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel
SI4113-BMR 功能描述:射频无线杂项 Dual-Band (RF1/RF2) RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel
SI4113-BT 功能描述:射频无线杂项 USE 634-SI4113-D-GT FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel