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参数资料
| 型号： | SI4112M-EVB |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 2/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4112 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | RF 合成器 |
| 适用于相关产品： | SI4112 |
| 所含物品： | 评估板和光盘 |
| 其它名称： | 336-1098 |
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Si4133
10
Rev. 1.61
Figure 4. Software Power Management Timing Diagram
Figure 5. Hardware Power Management Timing Diagram
PDIB = 0
PDRB = 0
PDIB = 1
PDRB = 1
t
pup
t
pdn
I
T
I
PWDN
SEN
SDATA
RF and IF synthesizers settled to
within 0.1 ppm frequency error.
t
pup
t
pdn
I
T
I
PWDN
RF and IF synthesizers settled to
within 0.1 ppm frequency error.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XPCRDO-L1-R250-00401 | LED XLAMP XP-C RED/ORANGE SMD |
| CUB5PR00 | PROCESS METER REFLECTIVE |
| CUB5IR00 | DC METER REFLECTIVE DISP |
| XPCRED-L1-R250-00201 | LED XLAMP XP-C RED SMD |
| CUB5TCR0 | THERMO METER REFLECTIVE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI4113 | 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS |
| SI4113BM | 制造商:SILICON_LABS 功能描述: |
| SI4113-BM | 功能描述:射频无线杂项 USE 634-SI4113-D-GM FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4113-BMR | 功能描述:射频无线杂项 Dual-Band (RF1/RF2) RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
| SI4113-BT | 功能描述:射频无线杂项 USE 634-SI4113-D-GT FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel |
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