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参数资料
| 型号： | NTMS5P02R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.95A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 5.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 790mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMS5P02R2GOSDKR |
NTMS5P02, NVMS5P02
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
Normalized to q ja at 10s.
0.02
Chip
0.0163 W
0.0652 W
0.1988 W
0.6411 W
0.9502 W
0.01
0.01
0.001
SINGLE PULSE
1.0E ? 05 1.0E ? 04
1.0E ? 03
1.0E ? 02
0.0307 F
1.0E ? 01
0.1668 F
1.0E+00
0.5541 F 1.9437 F
1.0E+01
72.416 F
1.0E+02
Ambient
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
|---|---|
| NTLUS3A40PZTAG | T4 20/8 PCH 2X2 UDFN SING |
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| 210-5MSTF | SWITCH RAISED ACTUATOR 5 SEC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMS5P02R2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -20V 5.4A SOIC |
| NTMS5P02R2SG | 功能描述:MOSFET PFET 5.4A 20V 0.033R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS7N03R2 | 功能描述:MOSFET 30V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS7N03R2_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 7 Amps, 30 Volts |
| NTMS7N03R2G | 功能描述:MOSFET 30V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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