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参数资料
| 型号： | NTD24N06T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.36W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD24N06T4GOSDKR |
NTD24N06
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369C?01
ISSUE O
B
C
?T?
SEATING
PLANE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
V
R
E
DIM
INCHES
MIN MAX
MILLIMETERS
MIN MAX
S
1
4
2
3
A
Z
A
B
C
D
E
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
5.97 6.22
6.35 6.73
2.19 2.38
0.69 0.88
0.46 0.58
K
U
F
G
H
J
0.037 0.045
0.180 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.94 1.14
4.58 BSC
0.87 1.01
0.46 0.58
F
L
D
2 PL
J
H
K
L
R
S
U
V
0.102 0.114
0.090 BSC
0.180 0.215
0.025 0.040
0.020 ???
0.035 0.050
2.60 2.89
2.29 BSC
4.57 5.45
0.63 1.01
0.51 ???
0.89 1.27
G
0.13 (0.005)
M
T
Z
0.155 ???
3.93 ???
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
SOLDERING FOOTPRINT*
6.20
0.244
2.58
0.101
3.0
0.118
5.80
0.228
1.6
0.063
6 .17 2
0.243
SCALE 3:1
mm
inches
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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