参数资料
| 型号： | NE5517NG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-DIP |
| 标准包装： | 25 |
| 放大器类型： | 跨导 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 推挽式 |
| 转换速率： | 50 V/µs |
| 增益带宽积： | 2MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 400nA |
| 电压 - 输入偏移： | 400µV |
| 电流 - 电源： | 2.6mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 650µA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 16-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 16-DIP |
| 包装： | 管件 |
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
6
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS (continued)
1VOL
T
RMS
(dB)
20
0
-20
-40
-60
-80
-100
OUTPUT
VOL
TAGE
RELA
TIVE
TO
0.1mA1mA10mA
100mA
1000mA
IABC AMPLIFIER BIAS CURRENT (mA)
VS = ±15V
RL = 10kW
OUTPUT NOISE
20kHz BW
VIN = 40mVP-P
VIN = 80mVP-P
VS = ±15V
Tamb = +25°C
CIN
COUT
7
6
5
4
3
2
1
0
0.1mA1mA10mA
100mA
1000mA
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
AMPLIFIER BIAS CURRENT (IABC)
0.1mA1mA10mA
100mA
1000mA
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
AMPLIFIER
BIAS
VOL
TAGE
(mV)
AMPLIFIER BIAS CURRENT (IABC)
-55°C
+25°C
+125°C
OUTPUT
DIST
ORTION
(%)
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
DIFFERENTIAL INPUT VOLTAGE (mVP-P)
600
500
400
300
200
100
0
10
100
1k
10k
100k
OUTPUT
NOISE
CURRENT
(pA/Hz)
FREQUENCY (Hz)
IABC = 1mA
IABC = 100mA
Figure 12. Amplifier Bias Voltage vs.
Amplifier Bias Current
Figure 13. Input and Output
Capacitance
Figure 14. Distortion vs. Differential
Input Voltage
Figure 15. Voltage vs. Amplifier Bias Current
Figure 16. Noise vs. Frequency
IABC = 1mA
RL = 10kW
Figure 17. Leakage Current Test Circuit
Figure 18. Differential Input Current Test Circuit
Figure 19. Buffer VBE Test Circuit
4, 13
2, 15
3, 14
+
NE5517
11
6
1, 15
5, 12
7, 10
8, 9
A
+36V
4, 13
2, 15
3, 14
+
NE5517
11
6
1, 10
5, 12
A
+15V
15V
4V
V
V+
50kW
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 208457064012025 | CONNECTOR RECEPT 64POS STR |
| RNCP1206FTD1K50 | RES 1.5K OHM 1/2W 1% 1206 SMD |
| NCV33274ADG | IC OPAMP QUAD HS BIPO 14-SOIC |
| 1V5KE27CA | TVS BIDIRECT 27V 1500W DO201AE |
| 108457032005025 | CONN HEADER MALE 32POS STR SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NE5520279A-A | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| NE5520279A-EVPW04 | 功能描述:射频开发工具 Silicon Medium Pwr LDMOS RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |
| NE5520279A-EVPW09 | 功能描述:射频开发工具 For NE5520279A-A Power at 900 MHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |
| NE5520279A-EVPW24 | 功能描述:射频开发工具 For NE5520279A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V |
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