参数资料
型号: NCP5181DR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 8/12页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC
标准包装: 1
配置: 半桥
输入类型: 非反相
延迟时间: 100ns
电流 - 峰: 1.4A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
其它名称: NCP5181DR2GOSDKR
NCP5181
TYPICAL CHARACTERISTICS
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
? 40
? 20
0
20
40
60
80
100
120
0
10
12
14
16
18
20
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 18. Low Level Input Voltage Threshold
vs. Temperature
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
SUPPLY VOLTAGE; V CC = V boot (V)
Figure 19. Low Level Input Voltage Threshold
vs. V CC Voltage
0
? 40
? 20
0
20
40
60
80
100
120
0
10
12
14
16
18
20
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 20. High Level Input Voltage Threshold
vs. Temperature
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
SUPPLY VOLTAGE; V CC = V boot (V)
Figure 21. High Level Input Voltage Threshold
vs. V CC Voltage
0
? 40
? 20
0
20
40
60
80
100
120
0
0
100
200
300
400
500
600
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 22. Leakage Current on High Voltage
Pins (600 V) to Ground vs. Temperature
http://onsemi.com
8
BRIDGE PIN VOLTAGE (V)
Figure 23. Leakage Current on High Voltage
Pins to Ground vs. V bridge Voltage
(V bridge = V boot = V DRV_HI )
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