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参数资料
| 型号： | NCP5181DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 100ns |
| 电流 - 峰： | 1.4A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP5181DR2GOSDKR |
NCP5181
MAXIMUM RATINGS
Rating
Main Power Supply Voltage
VHV: High Voltage BOOT Pin
VHV: High Voltage BRIDGE Pin
VHV: Floating Supply Voltage
VHV: High Side Output Voltage
Low Side Output Voltage
Allowable Output Slew Rate
Inputs IN_HI, IN_LO
ESD Capability:
Human Body Model (All Pins Except Pins 6 ? 7 ? 8)
Machine Model (All Pins Except Pins 6 ? 7 ? 8)
Symbol
V CC
V BOOT
V BRIDGE
V BOOT ? V BRIDGE
V DRV_HI
V DRV_LO
dV BRIDGE /d t
V IN_XX
Value
? 0.3 to 20
? 1 to 620
? 1 to 600
0 to 20
V BRIDGE ? 0.3 to V BOOT +0.3
? 0.3 to V CC +0.3
50
? 1.0 to V CC +0.3
2.0
200
Unit
V
V
V
V
V
V
V/ns
V
kV
V
Latchup Capability per Jedec JESD78
Power Dissipation and Thermal Characteristics
PDIP8: Thermal Resistance, Junction ? to ? Air
SO ? 8: Thermal Resistance, Junction ? to ? Air
Maximum Operating Junction Temperature
R q JA
R q JA
T J_max
100
178
+150
° C/W
° C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
http://onsemi.com
3
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参数描述 |
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