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参数资料
| 型号： | MWI75-12T8T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3 |
| 标准包装： | 5 |
| IGBT 类型： | 沟道 |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.1V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 110A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 3mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 5.35nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E3 |
| 供应商设备封装： | E3 |
MWI75-12T8T
Inverter D1 - D6
I F
[A]
200
150
100
24
20
Q rr 16
[μC] 12
T VJ = 125°C
V R = 600 V
200 A
100 A
50
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
8
50 A
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
160
V F [V]
Fig. 7 Typ. Forward current versus V F
700
di F /dt [A/μs]
Fig. 8 Typ. reverse recov.charge Q rr vs. di/dt
140
T VJ = 125°C
V R = 600 V
200 A
600
T VJ = 125°C
V R = 600 V
I RR
[A]
120
100
80
100 A
50 A
500
t rr 400
[ns] 300
200
200 A
100 A
50 A
60
100
40
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
0
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
8
di F /dt [A/μs]
Fig. 9 Typ. peak reverse current I RM vs. di/dt
1
di F /dt [A/μs]
Fig. 10 Typ. recovery time t rr versus di/dt
6
T VJ = 125°C
V R = 600 V
200 A
Diode
IGBT
E rec
[mJ]
4
100 A
50 A
Z thJC 0.1
[K/W]
2
0
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
di F /dt [A/μs]
Fig. 11 Typ. recovery energy E rec versus di/dt
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
t p [s]
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
20100910c
6-7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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