参数资料
型号: MWI75-12T8T
厂商: IXYS
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3
标准包装: 5
IGBT 类型: 沟道
配置: 三相反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.1V @ 15V,75A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 110A
电流 - 集电极截止(最大): 3mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 5.35nF @ 25V
功率 - 最大: 360W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E3
供应商设备封装: E3
MWI75-12T8T
 Circuit Diagram
30, 31, 32
16, 17, 18
1
5
9
19
2
6
10
20
NTC
3
27
28
29
7
24
25
26
11
21
22
23
Logo
XXX XX-XXXXX YYCWx
Part name Prod.Index
Date Code
4
33, 34, 35
 Outline Drawing
 Product Marking
8
12
13, 14, 15
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394“)
Ordering
Part Name
Marking on Product
Delivering Mode Base Qty Ordering Code
Standard
MWI75-12T8T
MWI75-12T8T
Box
5
502425
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2010 IXYS All rights reserved
20100910c
4-7
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PDF描述
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