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参数资料
| 型号： | MWI50-12A7T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E2 |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.7V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 85A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 4mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 3.3nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MWI 50-12 A7
MWI 50-12 A7T
Diodes
Equivalent Circuits for Simulation
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Conduction
I F25
I F80
T C = 25°C
T C = 80°C
110
70
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
V F
I RM
t rr
I F = 50 A; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I F = 50 A; di F /dt = -400 A/μs; T VJ = 125°C
V R = 600 V; V GE = 0 V
2.2
1.6
40
200
2.6
1.8
V
V
A
ns
IGBT (typ. at V GE = 15 V; T J = 125°C)
V 0 = 1.5 V; R 0 = 20.7 m Ω
Free Wheeling Diode (typ. at T J = 125°C)
V 0 = 1.3 V; R 0 = 6 m Ω
R thJC
(per diode)
0.61 K/W
Thermal Response
Temperature Sensor NTC (MWI ... A7T version only)
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
R 25
B 25/50
T = 25°C
4.75
5.0
3375
5.25 k Ω
K
IGBT (typ.)
C th1 = 0.22 J/K; R th1 = 0.26 K/W
Module
C th2 = 1.74 J/K; R th2 = 0.09 K/W
Free Wheeling Diode (typ.)
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
C th1 = 0.151 J/K; R th1 = 0.482 K/W
T VJ
T stg
-40...+150
-40...+125
° C
° C
C th2 = 1.003 J/K; R th2 = 0.124 K/W
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
V ISOL
M d
I ISOL ≤ 1 mA; 50/60 Hz
Mounting torque (M5)
2500
2.7 - 3.3
V~
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
R pin-chip
5
m Ω
d S
d A
R thCH
Weight
Creepage distance on surface
Strike distance in air
with heatsink compound
6
6
0.02
180
mm
mm
K/W
g
Higher magnification on page B3 - 72
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2007 IXYS All rights reserved
20070912a
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MWI50-12T7T | MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E2 |
| MWI60-06G6K | MOD IGBT SIX-PACK RBSOA E1 |
| MWI60-12T6K | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 |
| MWI75-06A7T | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 600V E2 |
| MWI75-12A8 | MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MWI50-12T7T | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI60-06G6K | 功能描述:分立半导体模块 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MWI60-12T6K | 功能描述:分立半导体模块 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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