参数资料
型号: MUBW50-06A7
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: MODULE IGBT CBI E2
标准包装: 6
IGBT 类型: NPT
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.4V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 75A
电流 - 集电极截止(最大): 800µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 2.8nF @ 25V
功率 - 最大: 250W
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E2
供应商设备封装: E2
MUBW 50-06 A7
Output Inverter T1 - T6 / D1 - D6
10.0
J d(on)
100
4
400
mJ
ns
mJ
E off
ns
E on
7.5
75
t
E off
3
300
t
J r
J d(off)
5.0
V CE = 300V
V GE = ±15V
50
2
V CE = 300V
V GE = ±15V
200
2.5
0.0
E on
R G = 22 ?
T VJ = 125 ° C
25
0
1
0
R G = 22 ?
T VJ = 125 ° C
J f
100
0
0
40
80
A
120
0
40
80
A
120
I C
Fig. 13 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
I C
Fig. 14 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
E on
4
mJ
3
E on
J d(on)
J r
80
ns
60
t
E off
3
mJ
2
E off
600
ns
400
t
I C
2
1
V CE = 300V
V GE = ±15V
= 50A
T VJ = 125 ° C
40
20
1
J d(off)
V CE = 300V
V GE = ±15V
I C = 50A
T VJ = 125 ° C
200
0
0
10
20
30
40
0
50 ? 60
0
0
10
20
30
40
J f
50 ? 60
0
120
R G
Fig. 15 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
10
R G
Fig.16 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
A
K/W
diode
I CM
90
Z thJC
1
IGBT
0.1
60
0.01
30
R G = 22 ?
0.001
single pulse
T VJ = 125 ° C
0
0.0001
MUBW5006A7
0
100
200
300
400
500
600
700 V
0.00001 0.0001 0.001
0.01
0.1
1
s 10
V CE
Fig. 17 Reverse biased safe operating area
RBSOA
? 2001 IXYS All rights reserved
t
Fig. 18 Typ. transient thermal impedance
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PDF描述
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