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参数资料
| 型号： | MUBW50-06A7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MODULE IGBT CBI E2 |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 三相反相器，带制动器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 75A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 800µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 2.8nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 输入： | 三相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MUBW 50-06 A7
Output Inverter T1 - T6
Equivalent Circuits for Simulation
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Conduction
V CES
V GES
V GEM
T VJ = 25 ° C to 150 ° C
Continuous
Transient
600
± 20
± 30
V
V
V
I C25
I C80
RBSOA
T C = 25 ° C
T C = 80 ° C
V GE = ± 15 V; R G = 22 ? ; T VJ = 125 ° C
Clamped inductive load; L = 100 μH
75
50
I CM = 100
V CEK ≤ V CES
A
A
A
D11 - D16
Rectifier Diode (typ. at T J = 125 ° C)
V 0 = 1.0 V; R 0 = 12 m ?
T1 - T6 / D1 - D6
t SC
(SCSOA)
P tot
V CE = V CES ; V GE = ± 15 V; R G = 22 ? ; T VJ = 125 ° C
non-repetitive
T C = 25 ° C
10
250
μs
W
IGBT (typ. at V GE = 15 V; T J = 125 ° C)
V 0 = 0.82 V; R 0 = 28 m ?
Free Wheeling Diode (typ. at T J = 125 ° C)
V 0 = 0.89 V; R 0 = 8 m ?
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
T7 / D7
IGBT (typ. at V GE = 15 V; T J = 125 ° C)
V 0 = 0.9 V; R 0 = 65 m ?
V CE(sat)
V GE(th)
I CES
I C = 50 A; V GE = 15 V; T VJ = 25 ° C
T VJ = 125 ° C
I C = 1 mA; V GE = V CE
V CE = V CES ; V GE = 0 V; T VJ = 25 ° C
4.5
1.9
2.2
2.4
6.5
0.8
V
V
V
mA
Free Wheeling Diode (typ. at T J = 125 ° C)
V 0 = 1.07 V; R 0 = 23 m ?
Thermal Response
T VJ = 125 ° C
0.7
mA
I GES
t d(on)
V CE = 0 V; V GE = ± 20 V
50
200
nA
ns
t r
t d(off)
t f
E on
E off
C ies
Q Gon
R thJC
Inductive load, T VJ = 125 ° C
V CE = 300 V; I C = 50 A
V GE = ±15 V; R G = 22 ?
V CE = 25 V; V GE = 0 V; f = 1 MHz
V CE = 300V; V GE = 15 V; I C = 50 A
(per IGBT)
55
300
30
2.3
1.7
2800
120
ns
ns
ns
mJ
mJ
pF
nC
0.5 K/W
D11 - D16
Rectifier Diode (typ.)
C th1 = 0.131 J/K; R th1 = 0.851 K/W
C th2 = 0.839 J/K; R th2 = 0.209 K/W
T1 - T6 / D1 - D6
IGBT (typ.)
Output Inverter D1 - D6
C th1 = 0.221 J/K; R th1 = 0.382 K/W
C th2 = 1.377 J/K; R th2 = 0.119 K/W
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Free Wheeling Diode (typ.)
I F25
I F80
T C = 25 ° C
T C = 80 ° C
72
45
A
A
C th1 = 0.116 J/K; R th1 = 0.973 K/W
C th2 = 0.88 J/K; R th2 = 0.217 K/W
T7 / D7
IGBT (typ.)
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
C th1 = 0.108 J/K; R th1 = 0.79 K/W
C th2 = 0.921 J/K; R th2 = 0.209 K/W
V F
I RM
t rr
I F = 50 A; V GE = 0 V; T VJ = 25 ° C
T VJ = 125 ° C
I F = 25 A; di F /dt = -500 A/μs; T VJ = 125 ° C
V R = 300 V; V GE = 0 V
1.3
25
90
1.8
V
V
A
ns
Free Wheeling Diode (typ.)
C th1 = 0.043 J/K; R th1 = 2.738 K/W
C th2 = 0.54 J/K; R th2 = 0.462 K/W
R thJC
(per diode)
1.19 K/W
? 2001 IXYS All rights reserved
2-8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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