参数资料
型号: MUBW35-12A8
厂商: IXYS
文件页数: 6/8页
文件大小: 0K
描述: MODULE IGBT CBI E3
标准包装: 5
IGBT 类型: NPT
配置: 三相反相器,带制动器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 3.1V @ 15V,35A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 50A
电流 - 集电极截止(最大): 1.1mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 1.65nF @ 25V
功率 - 最大: 225W
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E3
供应商设备封装: E3
MUBW 35-12 A8
Output Inverter T1 - T6 / D1 - D6
I C
110
100
A
80
V GE = 17 V
15 V
13 V
I C
110
100
A
80
V GE = 17 V
15 V
13 V
60
40
11 V
60
40
11 V
20
0
9V
T VJ = 25°C
20
0
9V
T VJ = 125°C
0
1
2
3
4
5
6 V 7
0
1
2
3
4
5
6 V 7
V CE
Fig. 7 Typ. output characteristics
110
110
V CE
Fig. 8 Typ. output characteristics
100
A
V CE = 20 V
100
A
I C
80
60
I F
80
60
T VJ = 125°C
40
40
T VJ = 25°C
20
0
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
20
0
4
6
8
10
12
14 V 16
0
1
2
3
V
4
V GE
Fig. 9 Typ. transfer characteristics
V F
Fig. 10 Typ. forward characteristics
of free wheeling diode
V GE
20
V
15
V CE = 600 V
I C = 35 A
I RM
50
A
40
30
t rr
200
ns
160
120
t rr
10
20
T VJ = 125°C
80
5
10
V R = 300 V
I F = 30 A
40
I RM
0
0
40
80
120
nC
160
0
0
200
400
600
MUBW35-12A8
A/
800 μ s 1000
0
Q G
Fig. 11 Typ. turn on gate charge
? 2007 IXYS All rights reserved
-di/dt
Fig. 12 Typ. turn off characteristics
of free wheeling diode
20070912a
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