参数资料
型号: MTB50P03HDLT4G
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
产品目录绘图: MOSFET D2PAK
标准包装: 10
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 50A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫欧 @ 25A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 100nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4900pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 标准包装
产品目录页面: 1558 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: MTB50P03HDLT4GOSDKR
MTB50P03HDL, MVB50P03HDLT4G
PACKAGE DIMENSIONS
D 2 PAK 3
CASE 418B ? 04
ISSUE K
? T ?
SEATING
PLANE
1
? B ?
4
2
G
3
S
D 3 PL
0.13 (0.005)
M
T B
M
K
C
H
A
E
J
V
W
W
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 418B ? 01 THRU 418B ? 03 OBSOLETE,
NEW STANDARD 418B ? 04.
INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.340 0.380 8.64 9.65
B 0.380 0.405 9.65 10.29
C 0.160 0.190 4.06 4.83
D 0.020 0.035 0.51 0.89
E 0.045 0.055 1.14 1.40
F 0.310 0.350 7.87 8.89
G 0.100 BSC 2.54 BSC
H 0.080 0.110 2.03 2.79
J 0.018 0.025 0.46 0.64
K 0.090 0.110 2.29 2.79
L 0.052 0.072 1.32 1.83
M 0.280 0.320 7.11 8.13
N 0.197 REF 5.00 REF
P 0.079 REF 2.00 REF
R 0.039 REF 0.99 REF
S 0.575 0.625 14.60 15.88
V 0.045 0.055 1.14 1.40
VARIABLE
CONFIGURATION
ZONE
R
N
U
P
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
M
F
VIEW W ? W
1
L
M
F
VIEW W ? W
2
L
M
F
VIEW W ? W
3
L
SOLDERING FOOTPRINT
10.49
8.38
16.155
2X
3.504
2X
1.016
5.080
PITCH
DIMENSIONS: MILLIMETERS
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
8
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PDF描述
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YQD100N1000 THERMISTOR PTC OCP 1000 OHM 25C
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参数描述
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