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参数资料
| 型号： | MRF5S9101NBR1 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, WB-4, 4 PIN |
| 文件页数： | 14/20页 |
| 文件大小： | 544K |
| 代理商： | MRF5S9101NBR1 |
MRF5S9101NR1 MRF5S9101NBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted) (continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical GSM EDGE Performances (In Freescale GSM EDGE Test Fixture, 50 οhm system) VDD = 28 Vdc, Pout = 50 W Avg.,
IDQ = 650 mA, 869-894 MHz, 920-960 MHz EDGE Modulation
Power Gain
Gps
—
18
—
dB
Drain Efficiency
ηD
—
42
—
%
Error Vector Magnitude
EVM
—
2.3
—
% rms
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
—
-63
—
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
—
-78
—
dBc
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MRF5S9150HR3 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MRF5S9150HR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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| MRF5S9150HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
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