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参数资料
| 型号： | MRF5S9070MR1 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1265-08, 2 PIN |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 569K |
| 代理商： | MRF5S9070MR1 |
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRF5S9070MR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
C2
C4
C11
C1
C3
L1
C9
C10
R1
R2
R3
C7
B1
C8
C6
C5
R4
C22
C20
C17
C21
C16
C15
B2
C19
C18
L2
C12
C13 C14
VGG
VDD
Figure 2. MRF5S9070MR1 Test Circuit Component Layout
CUT
OUT
AREA
MRF5S9070N
Rev 0
Freescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor
signature/logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These changes will have
no impact on form, fit or function of the current product.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S9070NR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA |
| MRF5S9080NR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270 |
| MRF5S9080NBR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| MRF5S9100MBR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| MRF5S9100NBR1 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S9070NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 70W RF POWER FET TO270 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9070NR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 70W RF POWER FET TO270 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9080NBR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 80W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9080NR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 80W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S9100MBR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-272-4 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
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