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参数资料
| 型号： | MRF5S21130HR3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | NI-880, CASE 465B-03, 2 PIN |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 375K |
| 代理商： | MRF5S21130HR3 |
MRF5S21130HR3 MRF5S21130HSR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Figure 2. MRF5S21130HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
MRF5S21130
C1
R1
R2
C7
C8
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C5
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C10
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C14 C16
C17
C19
C18
C20
C2
CUT
OUT
AREA
Rev 0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S21130HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S21130HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S21130SR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S21130R3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF5S21150HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF5S21130HR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S21130HS | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MRF5S21130HSR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S21130HSR5 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 LDMOS WCDMA NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF5S21130R3 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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