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参数资料
| 型号： | MRF282SR1 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-200S, CASE 458B-03, 2 PIN |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 308K |
| 代理商： | MRF282SR1 |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF282SR1 MRF282ZR1
NOTES
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF282ZR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF284LR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF284LSR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF284LR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF284LSR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MRF282Z | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs |
| MRF282ZR1 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF PWR FET SOE PKG RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
| MRF284 | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF284C | 制造商:Motorola Inc 功能描述:284C |
| MRF284LR1 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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