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参数资料
| 型号： | MRF19085LR3 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, NI-780, CASE 465-06, 2 PIN |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 403K |
| 代理商： | MRF19085LR3 |
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRF19085LR3 MRF19085LSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
33
34
35
36
37
38
39
32
31
30
29
28
27
26
24.0
24.5
25.0
25.5
26.0
26.5
27.0
27.5
28.0
VDD, DRAIN SUPPLY (V)
Figure 9. Two-Tone Intermodulation Distortion and
Drain Efficiency versus Drain Supply
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
IMD,
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
IDQ = 850 mA
f = 1960 MHz
100 kHz Tone Spacing
IMD
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
11.5
12.0
12.5
13.0
13.5
14.0
10
100
4
Figure 10. Two-Tone Power Gain versus Output
Power
Figure 11. Two-Tone Broadband Performance
10
15
20
25
30
35
40
35
30
25
20
15
10
5
1920
1930
1940
1950
1960
1970
1980
1990
2000
VDD = 26 Vdc
f = 1960 MHz
100 kHz Tone Spacing
IDQ = 1150 mA
1000 mA
850 mA
700 mA
550 mA
G
ps
,POWER
GAIN
(dB),
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
IMD
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
IMD,
f, FREQUENCY (MHz)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
IRL
Gps
VDD = 26 Vdc
Pout = 90 W (PEP)
IDQ = 850 mA
100 kHz Tone Spacing
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF19085SR3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF19085R3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF19120S | 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF19125R3 | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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