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参数资料
型号： MPSW63RLRA
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装： PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
文件页数： 7/34页
文件大小： 337K
代理商： MPSW63RLRA
7–13
Surface Mount Information
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
SOT–363
(SC–70 6 LEAD)
0.5 mm (min)
0.4
mm
(min)
0.65
mm
0.65
mm
1.9 mm
SOD–123
mm
inches
0.91
0.036
1.22
0.048
2.36
0.093
4.19
0.165
inches
mm
0.028
0.7
0.074
1.9
0.037
0.95
0.037
0.95
0.094
2.4
0.039
1.0
TSOP–6
相关PDF资料
PDF描述
MPSW63RL 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MQ82965BXU SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, CQFP164
MR8255A/B 24 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, QCC44
MR82C37A-5/B 4 CHANNEL(S), 5 MHz, DMA CONTROLLER, CQCC44
MR82C37A/B 4 CHANNEL(S), 8 MHz, DMA CONTROLLER, CQCC44
相关代理商/技术参数
参数描述
MPSW63RLRAG 功能描述:达林顿晶体管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MPSW64 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Darlington Transistors PNP Silicon
MPSW92 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MPSW92_10 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Voltage Transistor
MPSW92G 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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