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参数资料
| 型号： | MPC8568ECVTAQGG |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 56/139页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MPU POWERQUICC III 1023-PBGA |
| 标准包装： | 24 |
| 系列： | MPC85xx |
| 处理器类型： | 32-位 MPC85xx PowerQUICC III |
| 速度： | 1.0GHz |
| 电压： | 1.1V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 1023-BBGA，FCBGA |
| 供应商设备封装： | 1023-FCPBGA（33x33） |
| 包装： | 托盘 |
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MPC8568E/MPC8567E PowerQUICC III Integrated Processor Hardware Specifications, Rev. 1
Freescale Semiconductor
23
DDR and DDR2 SDRAM
MCS[n] output hold with respect to MCK
tDDKHCX
ns
3
533 MHz
1.48
—
7
400 MHz
1.95
—
333 MHz
2.40
—
MCK to MDQS Skew
tDDKHMH
–0.6
0.6
ns
4
MDQ/MECC/MDM output setup with respect to
MDQS
tDDKHDS,
tDDKLDS
ps
5
533 MHz
538
—
7
400 MHz
700
—
333 MHz
900
—
MDQ/MECC/MDM output hold with respect to
MDQS
tDDKHDX,
tDDKLDX
ps
5
533 MHz
538
—
7
400 MHz
700
—
333 MHz
900
—
MDQS preamble start
tDDKHMP
–0.5
× tMCK – 0.6
–0.5
× tMCK +0.6
ns
6
MDQS epilogue end
tDDKHME
–0.6
0.6
ns
6
Note:
1. The symbols used for timing specifications follow the pattern of t(first two letters of functional block)(signal)(state) (reference)(state) for
inputs and t(first two letters of functional block)(reference)(state)(signal)(state) for outputs. Output hold time can be read as DDR timing
(DD) from the rising or falling edge of the reference clock (KH or KL) until the output went invalid (AX or DX). For example,
tDDKHAS symbolizes DDR timing (DD) for the time tMCK memory clock reference (K) goes from the high (H) state until
outputs (A) are setup (S) or output valid time. Also, tDDKLDX symbolizes DDR timing (DD) for the time tMCK memory clock
reference (K) goes low (L) until data outputs (D) are invalid (X) or data output hold time.
2. All MCK/MCK referenced measurements are made from the crossing of the two signals ±0.1 V.
3. ADDR/CMD includes all DDR SDRAM output signals except MCK/MCK, MCS, and MDQ/MECC/MDM/MDQS.
4. Note that tDDKHMH follows the symbol conventions described in note 1. For example, tDDKHMH describes the DDR timing
(DD) from the rising edge of the MCK[n] clock (KH) until the MDQS signal is valid (MH). tDDKHMH can be modified through
control of the DQSS override bits in the TIMING_CFG_2 register. This will typically be set to the same delay as the clock
adjust in the CLK_CNTL register. The timing parameters listed in the table assume that these 2 parameters have been set
to the same adjustment value. See the MPC8568E Integrated Communications Processor Reference Manual for a
description and understanding of the timing modifications enabled by use of these bits.
5. Determined by maximum possible skew between a data strobe (MDQS) and any corresponding bit of data (MDQ), ECC
(MECC), or data mask (MDM). The data strobe should be centered inside of the data eye at the pins of the microprocessor.
6. All outputs are referenced to the rising edge of MCK[n] at the pins of the microprocessor. Note that tDDKHMP follows the
symbol conventions described in note 1.
7. Maximum DDR1 frequency is 400 MHz
Table 20. DDR SDRAM Output AC Timing Specifications (continued)
At recommended operating conditions.
Parameter
Symbol 1
Min
Max
Unit
Notes
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