参数资料
型号: MKI80-06T6K
厂商: IXYS
文件页数: 5/5页
文件大小: 0K
描述: MOD IGBT H-BRIDGE 600V 89A E1
标准包装: 10
IGBT 类型: 沟道
配置: 全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.3V @ 15V,75A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 89A
电流 - 集电极截止(最大): 500µA
Vce 时的输入电容 (Cies): 4.62nF @ 25V
功率 - 最大: 210W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: E1
供应商设备封装: E1
MKI 80-06T6K
150
120
V GE = 18/17/15 V
13 V
11 V
120
100
V GE = 18/17/15 V
13 V
11 V
80
I C
90
T VJ = 25°C
I C
60
9V
[A] 60
9V
[A]
40
30
20
T VJ = 125°C
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
150
120
V CE [V]
Fig. 1 Typical output characteristics
V CE = 20 V
150
120
V CE [V]
Fig. 2 Typical output characteristics
V CE = 20 V
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
I C 90
I C
90
[A]
60
[A] 60
30
30
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
0
0
1
2
3
0
4
6
8
10
12
150
V CE [V]
Fig. 3 Typical output characteristics
20
V GE [V]
Fig. 4 Typical transfer characteristics
120
16
V CE = 300 V
I F 90
V GE 12
I C
= 75 A
V CE = 450 V
[A]
60
[V]
8
I C
= 75 A
30
4
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0
100
200
300
400
500
V F [V]
Fig. 5 Typical forward characteristics FWD
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2012 IXYS All rights reserved
Q G [ μ C]
Fig. 6 Typical turn-on gate charge
20120410c
5-5
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