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参数资料
| 型号： | MG200J6ES61 |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD CMPCT 600V 200A |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 三相反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，200A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 200A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 1mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 40nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1000W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 是 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
POWEREX, INC., 200 E. HILLIS STREET, YOUNGWOOD, PENNSYLVANIA 15697-1800 (724) 925-7272
MG200J6ES61
SIX IGBTMOD?
COMPACT IGBT SERIES MODULE
200 AMPERES/600 VOLTS
10 2
SWITCHING LOSS (ON) VS.
GATE RESISTANCE
(TYPICAL)
10 5
CAPACITANCE VS.
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
(TYPICAL)
500
REVERSE BIAS SAFE OPERATION AREA
(TYPICAL)
10 1
V CC = 300V
V GE = ±15V
R G = 200A
T J = 25°C
T J = 125°C
10 4
10 3
C IES
C OES
C RES
400
300
200
10 0
5
10
15
20
25
30
V GE = 0V
F = 1MHZ
T C = 25°C
10 2
10 -2 10 -1
10 0
10 1
10 2
100
0
0
V GE = ±15V
R G = 10 ?
T J ≤ 125°C
100 200 300 400 500 600 700
GATE RESISTANCE, R G , ( ? )
GATE CHARGE VS.
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
(TYPICAL)
GATE-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
GATE CHARGE VS.
GATE-EMITTER VOLTAGE
(TYPICAL)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V CE , (VOLTS)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT)
500
I C = 200A
20
I C = 200A
10 1
T C = 25°C
400
16
10 0
300
12
200V
300V
200
100
8
4
100V
V CE = 0V
10 -1
SINGLE PULSE
STANDARD VALUE = R TH(J-C) D = 0.125°C/W
0
0
500
1000
1500
2000
2500
0
0
500
1000
1500
2000
2500
10 -2
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
10 1
10 0
10 -1
GATE CHARGE, Q G , (NC)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(FWDI)
T C = 25°C
SINGLE PULSE
STANDARD VALUE = R TH(J-C) D = 0.195°C/W
GATE CHARGE, Q G , (NC)
TIME, (S)
10 -2
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
TIME, (S)
4
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