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参数资料
| 型号： | IXTP48N20T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 48A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
IXTA48N20T IXTP48N20T
IXTQ48N20T
50
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
140
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
45
V GS = 10V
8V
120
V GS = 10V
8V
40
35
7V
100
30
25
20
15
6V
80
60
40
7V
6V
10
5
0
5V
20
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V DS - Volts
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 24A Value vs.
50
45
40
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
V GS = 10V
8V
7V
3.4
3.0
V GS = 10V
Junction Temperature
2.6
35
I D = 48A
30
25
20
6V
2.2
1.8
1.4
I D = 24A
15
1.0
10
5
0
5V
0.6
0.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
5.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 24A Value vs.
Drain Current
55
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V GS = 10V
T J = 175oC
T J = 25oC
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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