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参数资料
| 型号： | IXTA170N075T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 170A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 170A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.4 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 109nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Trench T2 TM
Power MOSFET
IXTA170N075T2
IXTP170N075T2
V DSS
I D25
R DS(on)
= 75V
= 170A
≤ 5.4m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (IXTA)
Symbol
V DSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
Maximum Ratings
75
V
G
S
(TAB)
V DGR
V GSM
I D25
I LRMS
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
75
± 20
170
75
V
V
A
A
TO-220 (IXTP)
I DM
I AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
510
85
A
A
G
D
S
(TAB)
E AS
P D
T J
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
600
360
-55 ... +175
mJ
W
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
T JM
T stg
T L
T sold
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
Mounting torque (TO-220)
TO-263
TO-220
175
-55 ... +175
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
International standard packages
Unclamped Inductive Switching
(UIS) rated
Low package inductance
175°C Operating Temperature
High current handling capability
ROHS Compliant
High performance Trench
Technology for extremely low R DS(on)
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to mount
Space savings
High power density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
75
V
Synchronous
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.0
4.0
V
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 200
nA
Applications
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V T J = 150 ° C
V GS = 10V, I D = 50A, Notes 1, 2
5 μ A
100 μ A
5.4 m Ω
? Synchronous Buck Converters
? High Current Switching Power
Supplies
? Battery Powered Electric Motors
? Resonant-mode power supplies
? Electronics Ballast Application
? Class D Audio Amplifiers
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99970A (4/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TX02-4400JI | IC INTERFACE TRANSFORMER 8SMD GW |
| RF PROTOTYPE KIT- SMALL | KIT RF SHIELD SMALL MULTI-HEIGHT |
| IXTP130N10T | MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 |
| IRF3709ZPBF | MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB |
| GLEA24E7B | SWTCH WOBBLE/COIL SPRING DPDT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA180N055T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA180N085T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA180N085T7 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA180N10T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA180N10T7 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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