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参数资料
| 型号： | IXTA170N075T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 170A TO-263 |
| 产品目录绘图： | TO-263 Package |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 170A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.4 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 109nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 管件 |
IXTA170N075T2
IXTP170N075T2
18
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
18
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
17
R G = 3.3 ?
V GS = 10V
17
R G = 3.3 ?
V GS = 10V
16
V DS = 38V
I
D
= 170A
16
V DS = 38V
T J = 125oC
15
14
15
14
I
D
= 85A
13
12
11
13
12
11
T J = 25oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
60
80
100
120
140
160
180
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
60
54
26
40
55
t r
t d(on) - - - -
50
25
t f
t d(off) - - - -
38
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 38V
I D = 170A, 85A
46
42
38
34
30
26
22
18
14
10
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
V DS = 38V
I D = 85A
I D = 170A
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
28
44
160
150
26
24
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 ? , V GS = 10V
V DS = 38V
40
36
140
120
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 38V
130
110
T J = 125oC
22
32
100
90
20
28
80
I D = 85A
70
18
T J = 25oC
24
60
50
16
14
20
16
40
20
I D = 170A
30
10
40
60
80
100
120
140
160
180
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTA180N055T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA180N085T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA180N085T7 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA180N10T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTA180N10T7 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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