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参数资料
| 型号： | IXSN35N100U1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 64A 1000V SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.5V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 38A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 750µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 205W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXSN 35N100U1
V CE(sat)
250
A
I C
200
T J = 25°C
15 V
150
A
I C
120
T J = 25°C
15 V
13 V
10
V
8
T J = 25°C
I C = 12.5 A
150
13 V
90
6
I C = 25 A
I C = 50 A
11 V
100
50
11 V
60
30
4
2
9V
9V
0
0
0
0
5
10
V CE
15
V 20
0
2
4
V CE
6
V 8
6
8
10
12
V GE
14 V 16
Fig. 1 Typ.
output characteristics
Fig. 2
Typ. output characteristics
Fig. 3
Typ. on-state characteristics
1.2
350
1.2
1.1
A
V CE(sat)
norm .
I C
300
T J = 25°C
V CE = 30 V
V GE (th )
nor m .
1.1
I C = 10 mA
250
1.0
1.0
200
0.9
0.9
0.8
0.7
I C = 50 A
I C = 25 A
I C = 12.5 A
150
100
50
0
0.8
0.7
0.6
0.5
Typ. temp. dependence of V CE(sat)
-50 0 50 100 °C 150
Fig. 4
16
T J
4 6 8 10 12 14 V 16
Fig. 5 Typ. transfer characteristics
10
V GE
-50 0
Fig. 6 Typ. temp.
100
50 100 °C 150
T J
dependence of norm. V GE(th)
V
V GE 14
I G = 40 mA
I C = 1 A
nF
A
12
10
V CE = 25 V
C
C ies
10
I C
T J = 125°C
dV/dt < 6 V/ns
8
1
C oes
1
R G = 22 ?
6
4
2
0
0.1
C res
0.1
0.01
0
Fig. 7
50 100 150 nC 200
Q G
Typ. turn-on gate charge
0
Fig. 8 Typ.
5 10 15
capacitances
V CE
20 V 25
Fig. 9
0 200 400 600 800 V 1000
V CE
Reverse biased safe operating area
characteristics, V GE = f(Q G )
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3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: 408-982-0700, Fax: 408-496-0670
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSN35N120AU1 | IGBT 70A 1200V SOT-227B |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXSN40N60AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N100AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N120AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N60BD2 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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