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参数资料
| 型号： | IXSN35N100U1 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 64A 1000V SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 配置： | 单一 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1000V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.5V @ 15V，25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 38A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 750µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 4.5nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 205W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
IXSN 35N100U1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
miniBLOC, SOT-227 B
g fs
I C(on)
C ies
C oes
C res
Q g
Q ge
Q gc
I C = I C90 ; V CE = 20 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
V GE = 15 V
V CE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz
I C = I C90 , V GE = 15 V, V CE = 0.5 V CES
10
20
300
4.5
0.5
0.09
180
45
120
S
A
nF
nF
nF
nC
nC
nC
M4 screws (4x) supplied
t d(on)
t ri
t d(off)
t fi
E on
E off
R thJC
R thCK
Inductive load, T J = 125 ° C
I C = I C90 , V GE = 15 V,
V CE = 0.6 ? V CES , R on = 6.8 ? , R off = 22 ?
Remarks: Switching times may increase
for V CE (Clamp) > 0.6 ? V CES , higher T J or
increased R G
80
150
800
2000
3.2
6.8
0.05
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
0.61 K/W
K/W
Dim.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
Millimeter
Min. Max.
31.5 31.7
7.8 8.2
4.0 -
4.1 4.3
4.1 4.3
14.9 15.1
30.1 30.3
38.0 38.2
11.8
12.2
8.9
9.1
0.75
0.85
12.6
12.8
25.2
25.4
1.95
2.05
Min.
1.241
0.307
0.158
0.162
0.162
0.587
1.186
1.497
0.465
0.351
0.030
0.496
0.993
0.077
Inches
Max.
1.249
0.323
-
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.359
0.033
0.504
1.001
0.081
P
-
5.0
-
0.197
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
V F
I F = I C90 , V GE = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
2.3
V
I RM
t rr
I F = I C90 , V GE = 0 V, -di F /dt = 480 A/ μ s
T J = 125 ° C, V R = 360 V
150
33
A
ns
R thJC
0.7 K/W
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one of the following U.S.patents: 4,835,592 4,881,108 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: 408-982-0700, Fax: 408-496-0670
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSN35N120AU1 | IGBT 70A 1200V SOT-227B |
| IXSN50N60BD3 | IGBT 75A 600V SOT-227B |
| IXSN52N60AU1 | IGBT FRD 600V 80A SCSOA SOT227B |
| IXSN55N120AU1 | IGBT 80A 1200V SOT-227B |
| IXSN55N120A | IGBT 1200V SCSOA SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXSN35N120AU1 | 功能描述:IGBT 晶体管 35 Amps 1200V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXSN40N60AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N100AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 53A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N120AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | SOT-227B |
| IXSN50N60BD2 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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