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参数资料
| 型号： | IRFU3711ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 93A I-PAK |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet IPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 93A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.45V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2160pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1519 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRFU3711ZPBF |
IRFR/U3711ZPbF
1000
100
VGS
TOP 10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
1000
100
VGS
TOP 10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
2.7V
BOTTOM 2.5V
10
10
2.5V
1
2.5V
0.1
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
0.1
1
10
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
10
1
T J = 25°C
T J = 175°C
VDS = 10V
20μs PULSE WIDTH
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 30A
VGS = 10V
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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