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参数资料
| 型号： | IDT7019L20PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 1.125M（128K x 9） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7019L20PF |
IDT7019L
High-Speed 128K x 9 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Pin Names
Left Port
Right Port
Names
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage
-55 C to +125 C
CE 0L , CE 1L
R/ W L
OE L
A 0L - A 16L
CE 0R , CE 1R
R/ W R
OE R
A 0R - A 16R
Chip Enables
Read/Write Enable
Output Enable
Address
Grade
Military
Commercial
Industrial
Ambient
Temperature (1)
O O
0 O C to +70 O C
-40 O C to +85 O C
GND
0V
0V
0V
Vcc
5.0V + 10%
5.0V + 10%
5.0V + 10%
I/O 0L - I/O 8L
SEM L
INT L
BUSY L
I/O 0R - I/O 8R
SEM R
INT R
BUSY R
Data Input/Output
Semaphore Enable
Interrupt Flag
Busy Flag
NOTES:
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
4840 tbl 03
M/ S
V CC
GND
Master or Slave Select
Power
Ground
4840 tbl 01
Recommended DC Operating
Conditions
Symbol Parameter Min. Typ.
Max.
Unit
6.0
V CC
GND
V IH
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
4.5
0
2.2
5.0
0
____
5.5
0
(2)
V
V
V
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial Military
& Industrial
V TERM (2) Terminal Voltage -0.5 to +7.0 -0.5 to +7.0
with Respect
to GND
Unit
V
V IL Input Low Voltage
NOTES:
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V TERM must not exceed Vcc + 10%.
-0.5 (1)
____
0.8
V
4840 tbl 04
T BIAS
T STG
Temperature
Under Bias
Storage
Temperature
-55 to +125
-65 to +150
-65 to +135
-65 to +150
o
o
C
C
Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz)
I OUT
DC Output Current
50
50
mA
Symbol
Parameter (1)
Conditions (2)
Max.
Unit
NOTES:
4840 tbl 02
C IN
Input Capacitance
V IN = 3dV
9
pF
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
2. V TERM must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > Vcc + 10%.
C OUT Output Capacitance V OUT = 3dV 10 pF
4840 tbl 05
1. This parameter is determined by device characterization but is not production
tested.
2. 3dV represents the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3
6.42
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